Diode à faibles signaux, 200mA, 50V, MicroMELF, 2 broches

Fonctionnalités
Structure de superredresseur pour des conditions de fiabilité élevées
• Jonction passivée au verre sans cavité
Commutation rapide pour un haut rendement
• Faible courant de fuite, IR typique inférieur à 0,2 μA
• Capacité de surtension élevée
• Souder à 275 °C pendant 10 s max., conformément à la norme JESD 22-B106

Applications types
Rectification haute tension de grille G2 CRT et TV, snubber
Circuit de la mémoire Flash de l'appareil photo.

Données mécaniques
Boîtier : DO-204AL, époxy moulé sur corps en verre
La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Bornes : cordons étamés mat, soudables par
J-STD-002 et JESD 22-B102
Le suffixe E3 est conforme au test de chuchotement JESD 201 classe 1A.
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode

Diodes et redresseurs, Vishay Semiconductor