Diode PIN, TEMD1020

La photodiode PIN au silicium à montage en surface série TEMD de Vishay est le tout dernier dispositif avec une valeur nominale de photocourrant de 12 μA et une valeur Peak Wavelength nominale de 950 nm. Il est doté d'une haute vitesse et d'une sensibilité rayonnante élevée dans des boîtiers en plastique noir avec lentille et filtre de blocage de lumière du jour. La diode est dotée d'une dissipation de puissance de 75 mW avec un courant sombre de 1 nA.

Angle de demi-sensibilité : F = ±15°
Angle de demi-sensibilité : F = ±15°
• Filtre de blocage de lumière du jour adapté aux émetteurs de 870 nm à 950 nm
• Filtre de blocage de lumière du jour adapté aux émetteurs de 870 nm à 950 nm
Dimensions (LxWxH) : 2,5 mm x 2 mm x 2,7 mm
Dimensions (LxWxH) : 2,5 mm x 2 mm x 2,7 mm
Temps de réponse rapides
Temps de réponse rapides
Durée de vie du sol : 168 h
Durée de vie du sol : 168 h
Haute sensibilité rayonnante
Haute sensibilité rayonnante
Composant sans plomb (Pb)
Composant sans plomb (Pb)
Plage de températures d'utilisation comprise entre -40 et 85 °C.
Plage de températures d'utilisation comprise entre -40 et 85 °C.
Forme de boîtier : GW, RGW, étrier, axial
Forme de boîtier : GW, RGW, étrier, axial
• Le boîtier correspond à la série d'émetteur IR TSMF1000
• Le boîtier correspond à la série d'émetteur IR TSMF1000
• Zone sensible au rayonnement : 0,23 mm2
• Zone sensible au rayonnement : 0,23 mm2

Systèmes de transmission de données à air libre
• Détecteur haute vitesse pour le rayonnement infrarouge
Commandes à distance infrarouges

2002/95/EC
E 3
J-STD-020
WEEE 2002/96/EC