Diode PIN onsemi Simple 100 mA 80 V, 2 broches X3-DFN2
- Code commande RS:
- 233-6852P
- Référence fabricant:
- NSDP301MX3T5G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 150 - 360 | 0,107 € |
| 375 - 735 | 0,093 € |
| 750 - 1485 | 0,081 € |
| 1500 + | 0,075 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 233-6852P
- Référence fabricant:
- NSDP301MX3T5G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Diode PIN | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 100mA | |
| Tension inverse maximum Vr | 80V | |
| Type de montage | Surface | |
| Capacité Maximale | 0.33pF | |
| Type de Boitier | X3-DFN2 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension directe maximale Vf | 0.81V | |
| Résistance de série maximum @ If maximum | 1.3Ω | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 0.66mm | |
| Série | NSDP301MX3 | |
| Normes/homologations | RoHS, Pb-Free | |
| Hauteur | 0.33mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Diode PIN | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 100mA | ||
Tension inverse maximum Vr 80V | ||
Type de montage Surface | ||
Capacité Maximale 0.33pF | ||
Type de Boitier X3-DFN2 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension directe maximale Vf 0.81V | ||
Résistance de série maximum @ If maximum 1.3Ω | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 0.66mm | ||
Série NSDP301MX3 | ||
Normes/homologations RoHS, Pb-Free | ||
Hauteur 0.33mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor NSDP301MX3T5G est une diode PIN simple pour atténuateur et commutateur RF, les caractéristiques de faible RS permettent de l'utiliser dans les applications haute fréquence. Cette diode PIN est conçue pour réaliser des conceptions compactes et efficaces. Le dispositif est disponible dans un boîtier miniature X3DFN2 qui permet aux concepteurs de répondre à la tâche difficile consistant à atteindre un plus haut rendement et à répondre à des exigences d'espace réduites.
Il est doté d'une faible résistance série de 1,3point typique
Il est doté d'une petite capacité interborne de 0,33 pF typique
Le dispositif est doté de moins de composants parasites