Diode traversante Infineon, 11.8A, 1200V, A-220

L'Infineon thinQ!™ Génération 5 offre une nouvelle technologie de plaquette fine pour diodes barrières Schottky SiC qui améliore les propriétés thermiques. Les circuits de diode Schottky SiC disposent de caractéristiques spécifiques des semi-conducteurs de puissance haute tension telles que des champs de rupture et une conductivité thermique plus élevés, permettant des niveaux de rendement supérieurs. Cette nouvelle génération est adaptée à une utilisation dans les alimentations à découpage et les serveurs haut de gamme dans les télécommunications, les systèmes d'onduleur, les commandes de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les PC Silverbox et les applications d'éclairage.

EMI réduite

Diodes et redresseurs, Infineon