Diode CMS onsemi, 200mA, 30V, SOT-416 (SC-75)

Code commande RS:: 163-2047
Référence fabricant:: BAT54CTT1G
Marque:: onsemi

Diode CMS onsemi, 200mA, 30V, SOT-416 (SC-75)

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Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour l'unité (en bobine de 3000)

0,043 €

0,052 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 3000	0,043 €	129,00 €
6000 +	0,04 €	120,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 163-2047
Référence fabricant:: BAT54CTT1G
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Diodes barrières Schottky d on Semiconductor

Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.

• Sans plomb
• Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg

Normes

Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par NSV-, SBR-ou S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de montage	CMS
Type de boîtier	SOT-416 (SC-75)
Courant direct continu maximum	200mA
Tension inverse de crête répétitive	30V
Configuration de diode	Cathode commune
Type de redressement	Diode Schottky
Type diode	Schottky
Nombre de broches	3
Chute minimale de tension directe	800mV
Nombre d'éléments par circuit	2
Technologie de diode	Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête	5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête	600mA