- Code commande RS:
- 168-8933
- Référence fabricant:
- IDH03G65C5XKSA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,436 €
HT
1,723 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
---|---|---|
50 + | 1,436 € | 71,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-8933
- Référence fabricant:
- IDH03G65C5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
thinQ! Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, Infineon
L'Infineon thinQ!™ Génération 5 offre une nouvelle technologie de plaquette fine pour diodes barrières Schottky SiC qui améliore les propriétés thermiques. Les circuits de diode Schottky SiC disposent de caractéristiques spécifiques des semi-conducteurs de puissance haute tension telles que des champs de rupture et une conductivité thermique plus élevés, permettant des niveaux de rendement supérieurs. Cette nouvelle génération est adaptée à une utilisation dans les alimentations à découpage et les serveurs haut de gamme dans les télécommunications, les systèmes d'onduleur, les commandes de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les PC Silverbox et les applications d'éclairage.
EMI réduite
Diodes et redresseurs, Infineon
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de montage | Traversant |
Type de boîtier | A-220 |
Courant direct continu maximum | 3A |
Tension inverse de crête répétitive | 650V |
Configuration de diode | Simple |
Type diode | Schottky SiC |
Nombre de broches | 2 |
Chute minimale de tension directe | 2.1V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Technologie de diode | Schottky SiC |
courant direct de surcharge non-répétitif de crête | 31A |
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