Diode CMS onsemi, 27A, 650V, D2PAK
- Code commande RS:
- 185-7990
- Référence fabricant:
- FFSB1065B-F085
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en bobine de 800)
1,856 €
HT
2,227 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,856 € | 1 484,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-7990
- Référence fabricant:
- FFSB1065B-F085
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) -EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, D2PAK
Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) automobile, 650 V
Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. L'absence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages du système incluent une efficacité optimale, une faster la fréquence d'exploitation, une densité de puissance accrue, une réduction des interférences électromagnétiques et une réduction de la taille et du coût du système.
Température max. de jonction 175 oC
Capacité de courant de pointe élevé
Coefficient de température positif
Plus grande facilité de mise en parallèle
Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe
Applications
Chargeurs de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV) embarqués
Convertisseurs c.c.-c.c. de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV)
Capacité de courant de pointe élevé
Coefficient de température positif
Plus grande facilité de mise en parallèle
Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe
Applications
Chargeurs de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV) embarqués
Convertisseurs c.c.-c.c. de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | D2PAK |
| Courant direct continu maximum | 27A |
| Tension inverse de crête répétitive | 650V |
| Configuration de diode | Simple |
| Type de redressement | Diode Schottky |
| Type diode | Schottky SiC |
| Nombre de broches | 3 |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Technologie de diode | Schottky SiC |
| courant direct de surcharge non-répétitif de crête | 650A |