Diode traversante onsemi, 20A, 650V, A-247

Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. L'absence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation faster, une plus grande densité de puissance, une réduction des IEM et une réduction de la taille et du coût du système

Température de jonction max. 175 °C

Capacité de courant de pointe élevé
Coefficient de température positif
Plus grande facilité de mise en parallèle
Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe
Compatible PPAP
Applications
Chargeurs de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV) embarqués
Convertisseurs c.c.-c.c. de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV)