Diode traversante ON Semiconductor, 14.4A, 650V, A-247

Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. L'absence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages incluent un rendement supérieur, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, la réduction des IEM et la réduction de la taille et du coût du système.

Température de jonction max. 175 °C
Compatible avec le protocole PPP
Capacité de courant de pointe élevé
Coefficient de température positif
Plus grande facilité de mise en parallèle
Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe
Applications
Chargeurs de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV) embarqués
Convertisseurs c.c.-c.c. de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV)