Diode CMS onsemi, 9.1A, 650V, DPAK

Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. L'absence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages incluent un rendement supérieur, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, la réduction des IEM et la réduction de la taille et du coût du système.

Haute résistance à l'ISU, courant de surtension et avalanche
Température de jonction élevée
Faible Vf
Pas de QRR
49 mJ @ 25 °C.
TJ = 175 °C.
1,41 V
<100 nC
Applications
PFC