Diode traversante Infineon, 4A, 600V, PG-TO252

Infineon CoolSiC génération 3 offre la capacité de circuit la plus faible pour toute intensité nominale donnée, ce qui améliore encore davantage le rendement global du système, en particulier à des fréquences de commutation plus élevées et dans des conditions de faible charge pour la diode barrière Schottky avec une intensité nominale de 4 A. Cette dernière génération est adaptée pour une utilisation dans les SMPS de télécommunications et les serveurs haut de gamme, les systèmes d'onduleur, les entraînements de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les applications de boîtier et d'éclairage en argent pour PC.

Comportement de commutation de référence
Aucune charge de récupération inverse
Comportement de commutation indépendant de la température
EMI réduite