Diode CMS Infineon, 12A, 650V, PG-HDSOP

Code commande RS:: 216-8373
Référence fabricant:: IDDD12G65C6XTMA1
Marque:: Infineon

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en bobine de 1700)

2,088 €

2,506 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
1700 +	2,088 €	3 549,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 216-8373
Référence fabricant:: IDDD12G65C6XTMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - IDDD12G65C6XTMA1

Législation et Conformité

Détail produit

La diode Schottky Infineon série IDD introduit le double DPAK, le premier boîtier de dispositif refroidi en surface à côté supérieur qui s'adresse aux applications SMPS haute puissance telles que l'alimentation PC, l'énergie solaire, le serveur et les télécommunications. Sa valeur nominale de courant est de 12 A. Il fournit une solution de système pour les topologies de commutation à courant élevé, telles que PFC, et une solution haut de gamme pour les topologies LLC.

Rendement énergétique le plus élevé
Le découplage thermique de la carte et du semi-conducteur permet de surmonter la température Limites de circuit imprimé
L'inductance de source parasite réduite améliore l'efficacité et la facilité d'utilisation
Permet des solutions de densité de puissance plus élevée

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de montage	CMS
Type de boîtier	PG-HDSOP
Courant direct continu maximum	12A
Tension inverse de crête répétitive	650V
Configuration de diode	Simple
Type de redressement	Diode Schottky
Type diode	Schottky SiC
Nombre de broches	10
Nombre d'éléments par circuit	1
Technologie de diode	Schottky SiC

Diode CMS Infineon, 12A, 650V, PG-HDSOP

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