Diode traversante Infineon, 10A, 650V, PG-TO220

Code commande RS:: 216-8384
Référence fabricant:: IDH10G65C6XKSA1
Marque:: Infineon

Diode traversante Infineon, 10A, 650V, PG-TO220

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Prix pour l'unité (par multiple de 2)

3,665 €

4,398 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 18	3,665 €	7,33 €
20 - 48	2,495 €	4,99 €
50 - 98	2,31 €	4,62 €
100 - 198	2,165 €	4,33 €
200 +	1,98 €	3,96 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 216-8384
Référence fabricant:: IDH10G65C6XKSA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - IDH10G65C6XKSA1

Législation et Conformité

Détail produit

Infineon CoolSiC génération 6 offre une nouvelle technologie de pointe pour la diode barrière Schottky avec une intensité nominale de 10 A. Cette dernière génération est adaptée pour une utilisation dans les SMPS de télécommunications et les serveurs haut de gamme, les systèmes d'onduleur, les entraînements de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les applications de boîtier et d'éclairage en argent pour PC.

Valeur de mérite de la meilleure classe
Aucune charge de récupération inverse
Comportement de commutation indépendant de la température
Robustesse dv/dt élevée
Comportement thermique optimisé

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de montage	Traversant
Type de boîtier	PG-TO220
Courant direct continu maximum	10A
Tension inverse de crête répétitive	650V
Configuration de diode	Simple
Type de redressement	Diode Schottky
Type diode	Schottky SiC
Nombre de broches	2
Nombre d'éléments par circuit	1
Technologie de diode	Schottky SiC

Diode traversante Infineon, 10A, 650V, PG-TO220

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