Diode Schottky et de redressement CMS STMicroelectronics, 10A, 1200V, D2PAK HV

La diode Sic STMicroelectronics 10 A, 1 200 V est une diode Schottky de puissance à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau d'écart à large bande permet la conception d'une structure de diode Schottky avec une valeur nominale de 1 200 V. Grâce à la structure Schottky, aucune reprise n'apparaît à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement capacitif minimal à la mise hors tension est indépendant de la température. Logée dans le D2PAK HV, cette diode est parfaitement adaptée pour une utilisation dans les applications PFC, en OBC, c.c./c.c. pour EV, ce qui facilite la conformité à la norme CEI 60664-1. Le STPSC10H12G2-TR augmente les performances dans des conditions de commutation difficiles. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires.

Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Périphérie haute tension robuste
TJ d'utilisation de -40 à +175 °C
Faible VF
Distance de fuite haute tension (anode à cathode) de D52 PAK = 5,38 mm min.
conforme à la norme ECOPACK2