- Code commande RS:
- 222-4842
- Référence fabricant:
- IDWD20G120C5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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TTC
Unité | Prix par unité |
---|---|
1 - 9 | 9,87 € |
10 - 24 | 9,37 € |
25 - 49 | 8,98 € |
50 - 99 | 8,58 € |
100 + | 7,99 € |
- Code commande RS:
- 222-4842
- Référence fabricant:
- IDWD20G120C5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Les diodes Schottky Infineon CoolSiC TM de 5 1 200 V, 20 A dans un boîtier TO-247 à 2 broches réel, pour un échange facile de diodes Si bipolaires. Les distances de fuite et de dégagement étendues de 8,7 mm dans le nouveau boîtier offrent une sécurité supplémentaire dans les environnements à forte pollution. Combinée à un IGBT Si ou un transistor MOSFET à super jonction, par exemple dans un étage redresseur de Vienne ou un étage de boost PFC utilisé dans les systèmes de conversion triphasés, une diode CoolSiC offre un rendement jusqu'à 1 % par rapport à la meilleure alternative de diode Si.
Aucun courant de récupération inverse, aucune tension de récupération avant
Comportement de commutation indépendant de la température
Faible tension directe même à une température d'utilisation élevée
Distribution de tension directe serrée
Haute capacité de surtension
Comportement de commutation indépendant de la température
Faible tension directe même à une température d'utilisation élevée
Distribution de tension directe serrée
Haute capacité de surtension
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | A-247 |
Courant direct continu maximum | 20A |
Tension inverse de crête répétitive | 1200V |
Type de redressement | Diode Schottky |
Type diode | Schottky SiC |
Nombre de broches | 2 |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Technologie de diode | Schottky SiC |