Diode CMS Infineon, 30A, 1200V, A-247

Les diodes Schottky Infineon CoolSiC TM de 5 1 200 V, 30 A sont également disponibles dans un boîtier TO-247 à 2 broches réel, pour faciliter l'échange de diodes Si bipolaires. Les distances de fuite et de dégagement étendues de 8,7 mm dans le nouveau boîtier offrent une sécurité supplémentaire dans les environnements à forte pollution. Combinée à un IGBT Si ou un transistor MOSFET à super jonction, par exemple dans un étage redresseur de Vienne ou un étage de boost PFC utilisé dans les systèmes de conversion triphasés, une diode CoolSiC offre un rendement jusqu'à 1 % par rapport à la meilleure alternative de diode Si.

Aucun courant de récupération inverse, aucune tension de récupération avant
Comportement de commutation indépendant de la température
Faible tension directe même à une température d'utilisation élevée
Distribution de tension directe serrée
Haute capacité de surtension