Diode Schottky au silicium Infineon Diode de redressement Anode commune, 40 V, 100 ps, 120 mA Surface 3 broches
- Code commande RS:
- 273-7284
- Référence fabricant:
- BAS4006WH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
138,00 €
HT
165,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,046 € | 138,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7284
- Référence fabricant:
- BAS4006WH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de produit | Diode Schottky au silicium | |
| Type de Boitier | SOT-323 | |
| Courant continu direct maximum If | 120mA | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 40V | |
| Série | BAS40 | |
| Configuration de diode | Anode commune | |
| Type de Diode | Diode de redressement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Courant inverse crête Ir | 1μA | |
| Tension directe maximale Vf | 1000mV | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 100ps | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de montage Surface | ||
Type de produit Diode Schottky au silicium | ||
Type de Boitier SOT-323 | ||
Courant continu direct maximum If 120mA | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 40V | ||
Série BAS40 | ||
Configuration de diode Anode commune | ||
Type de Diode Diode de redressement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Courant inverse crête Ir 1μA | ||
Tension directe maximale Vf 1000mV | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 100ps | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La diode Schottky au silicium d'Infineon est une diode à usage général conçue pour des applications de commutation à grande vitesse. Cette diode Schottky en silicium est dotée d'un haut niveau de détection et de mélange.
Boîtier sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Protection du circuit
Serrage de tension
Qualifié selon AEC Q101
Nos clients ont également consulté
- Diode Schottky au silicium Infineon Diode de redressement Anode commune 100 ps, 120 mA Surface 3 broches
- Diode Schottky au silicium Infineon Diode Schottky 2 paires à cathode commune 100 ps, 125 mA Surface 2 broches
- Diode Schottky au silicium Infineon Diode Schottky Anode commune 5 ns, 250 mA Surface 3 broches SOT-23AEC-Q101
- Diode Schottky et de redressement Infineon Diode Schottky Anode commune , 120 mA Surface 3 broches SOT-23AEC-Q101
- Diode Schottky et de redressement STMicroelectronics Diode de redressement Anode commune , 10 A Surface 3
- Diode Schottky et de redressement STMicroelectronics Diode de redressement Anode commune , 15 A Surface 3
- Diode Schottky et de redressement STMicroelectronics Diode de redressement Anode commune , 12 A Surface 3
- Diode Schottky et de redressement STMicroelectronics Diode de redressement Anode commune , 8 A Surface 3 broches