Diode traversante Taiwan Semiconductor, 4A, 200V, DO-201AD
- Code commande RS:
- 688-2303
- Référence fabricant:
- UG4D
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
3,46 €
HT
4,15 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 980 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 novembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,346 € | 3,46 € |
| 50 - 90 | 0,325 € | 3,25 € |
| 100 - 240 | 0,307 € | 3,07 € |
| 250 - 490 | 0,292 € | 2,92 € |
| 500 + | 0,276 € | 2,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 688-2303
- Référence fabricant:
- UG4D
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de boîtier | DO-201AD | |
| Courant direct continu maximum | 4A | |
| Tension inverse de crête répétitive | 200V | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de redressement | Commutation | |
| Type diode | Redresseur | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Chute minimale de tension directe | 950mV | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Technologie de diode | Jonction au silicium | |
| Temps de recouvrement inverse crête | 20ns | |
| Diamètre | 5.6mm | |
| courant direct de surcharge non-répétitif de crête | 150A | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de boîtier DO-201AD | ||
Courant direct continu maximum 4A | ||
Tension inverse de crête répétitive 200V | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de redressement Commutation | ||
Type diode Redresseur | ||
Nombre de broches 2 | ||
Chute minimale de tension directe 950mV | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Technologie de diode Jonction au silicium | ||
Temps de recouvrement inverse crête 20ns | ||
Diamètre 5.6mm | ||
courant direct de surcharge non-répétitif de crête 150A | ||
Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor
Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor
