Diode Wolfspeed Diode Schottky Simple, 1200 V, , 4.5 A En surface 3 broches TO-252
- Code commande RS:
- 809-9033P
- Référence fabricant:
- C4D02120E
- Marque:
- Wolfspeed
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 809-9033P
- Référence fabricant:
- C4D02120E
- Marque:
- Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | |
| Type de produit | Diode | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Courant continu direct maximum If | 4.5A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 1200V | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de Diode | Diode Schottky | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension directe maximale Vf | 3V | |
| Courant inverse crête Ir | 150μA | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 18.8A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Longueur | 7.34mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Wolfspeed | ||
Type de produit Diode | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Courant continu direct maximum If 4.5A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 1200V | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de Diode Diode Schottky | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension directe maximale Vf 3V | ||
Courant inverse crête Ir 150μA | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 18.8A | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Longueur 7.34mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
• Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
• Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
• Tension directe à coefficient de température positif
• Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
• Réduction des exigences en termes de dissipation
• Optimisées pour les applications de diode à amplification PFC