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Semi-conducteurs

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Prix
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Description
Détails du produit
  • 196,012 €
    l'unité (en boîte de 10)
MOSFET, Canal-N, 29 A 1200 V, 28 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum29 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierLot de six
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 218,79 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 29 A 1200 V, 28 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum29 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierLot de six
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 4,703 €
    l'unité (en tube de 30)
N-channel SiC MOSFET 1.7kV 5A TO247
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum1700 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 5,90 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 5 A 1700 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum1700 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 2,04 €
    l'unité (par multiple de 5)
Diode traversante, 10A, 1200V, C4D02120A
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierA-220
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
  • 1,998 €
    l'unité (en tube de 50)
Diode traversante, 10A, 1200V, C4D02120A
  • Type de montageTraversant
  • Type de boîtierA-220
  • Courant direct continu maximum10A
  • Tension inverse de crête répétitive1200V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
  • 64,125 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET, Canal-N, 90 A 1200 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 75,67 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 90 A 1200 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum90 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 554,823 €
    l'unité (en boîte de 10)
MOSFET, Canal-N, 404 A 1200 V, 7 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum404 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierDemi-pont
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 583,03 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 404 A 1200 V, 7 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum404 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierDemi-pont
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 326,691 €
    l'unité (en boîte de 10)
MOSFET, Canal-N, 193 A 1200 V, 7 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum193 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierDemi-pont
  • Type de montageMontage panneau
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  • 367,60 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 193 A 1200 V, 7 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum193 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierDemi-pont
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 30,88 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 60 A 1200 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 30,477 €
    l'unité (en tube de 30)
N-chan SiC MOSFET 1200V 90A TO247
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum60 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 198,37 €la pièce
Module Driver de MOSFET
  • Fonction de gestion de l'alimentationDriver de MOSFET
  • Classification du kitModule
Voir les produits de la même série Kits de développement pour gestion de puissance
  • 9,203 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET, Canal-N, 35 A 900 V D2PAK (TO-263), 7 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
  • Type de montageCMS
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  • 9,90 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 35 A 900 V D2PAK (TO-263), 7 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
  • Type de montageCMS
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  • 8,823 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET, Canal-N, 36 A 900 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum36 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
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  • 4,852 €
    l'unité (en tube de 30)
MOSFET, Canal-N, 10 A 1200 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
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  • 4,915 €
    l'unité (par multiple de 2)
MOSFET, Canal-N, 10 A 1200 V A-247, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum1200 V
  • Type de boîtierA-247
  • Type de montageTraversant
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