- Code commande RS:
- 916-3872
- Référence fabricant:
- CAS300M12BM2
- Marque:
- Wolfspeed
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- 916-3872
- Référence fabricant:
- CAS300M12BM2
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- Wolfspeed
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.
Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques
Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques
Transistors MOSFET, Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 404 A |
Tension Drain Source maximum | 1200 V |
Type de boîtier | Demi-pont |
Type de montage | Montage à visser |
Nombre de broches | 7 |
Résistance Drain Source maximum | 9,8 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.3V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1.8V |
Dissipation de puissance maximum | 1,66 kW |
Configuration du transistor | Série |
Tension Grille Source maximum | -10 V, +25 V |
Largeur | 61.4mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Matériau du transistor | SiC |
Nombre d'éléments par circuit | 2 |
Charge de Grille type @ Vgs | 1 025 nC @ 20 V, 1 025 nC @ 5 V |
Longueur | 106.4mm |
Hauteur | 30mm |
Tension directe de la diode | 2.5V |