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    MOSFET Wolfspeed canal N, , Demi-pont 404 A 1200 V, 7 broches

    Wolfspeed
    Code commande RS:
    916-3872
    Référence fabricant:
    CAS300M12BM2
    Marque:
    Wolfspeed
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    Wolfspeed

    Législation et Conformité


    Détail produit

    Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed


    Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.

    • Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
    • Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
    • Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
    • Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
    • Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques


    Transistors MOSFET, Wolfspeed

    Caractéristiques techniques

    Attribut
    Valeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum404 A
    Tension Drain Source maximum1200 V
    Type de boîtierDemi-pont
    Type de montageMontage à visser
    Nombre de broches7
    Résistance Drain Source maximum9,8 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille2.3V
    Tension de seuil minimale de la grille1.8V
    Dissipation de puissance maximum1,66 kW
    Configuration du transistorSérie
    Tension Grille Source maximum-10 V, +25 V
    Largeur61.4mm
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Matériau du transistorSiC
    Nombre d'éléments par circuit2
    Charge de Grille type @ Vgs1 025 nC @ 20 V, 1 025 nC @ 5 V
    Longueur106.4mm
    Hauteur30mm
    Tension directe de la diode2.5V
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