MOSFET N Wolfspeed 72 A 1700 V Enrichissement, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 192-3366
- Référence fabricant:
- C2M0045170D
- Marque:
- Wolfspeed
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3 930,15 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 131,005 € | 3 930,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 192-3366
- Référence fabricant:
- C2M0045170D
- Marque:
- Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 72A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1700V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 188nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 520W | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension directe Vf | 4.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Wolfspeed | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 72A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1700V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 188nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 520W | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension directe Vf 4.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Wolfspeed présente sa toute dernière percée dans la technologie de dispositifs d'alimentation SiC : le premier transistor MOSFET SiC 1 700 V 45 mOhm de l'industrie. Le MOSFET est conçu pour prendre en charge de nouvelles applications de bus 1 500 V dans des topologies telles qu'un convertisseur de boost et des alimentations auxiliaires. Optimisée pour les applications électroniques de puissance haute fréquence, y compris les inverseurs d'énergie renouvelable, les systèmes de charge de batterie et les alimentations industrielles triphasées, la nouvelle plate-forme 1 700 V permet des systèmes de conversion d'alimentation de nouvelle génération plus petits et plus efficaces.
1 700 V de tension de blocage avec faible RDS(on)
Commutation haute vitesse avec de faibles capacités
Résiste aux avalanches
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (Qrr)
Facile à mettre en parallèle et simple à entraîner
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