Récemment recherché

    MOSFET Wolfspeed canal N, , A-247 60 A 1200 V, 3 broches

    Wolfspeed
    Code commande RS:
    145-5875
    Référence fabricant:
    C2M0040120D
    Marque:
    Wolfspeed
    Voir la catégorie
    180 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
    Add to Basket
    Unité

    Uniquement disponible en livraison standard

    Ajouté

    Prix pour l'unité (en tube de 30)

    39,588 €

    HT

    47,506 €

    TTC

    UnitéPrix par unitéle tube*
    30 +39,588 €1 187,64 €
    *Prix donné à titre indicatif
    Code commande RS:
    145-5875
    Référence fabricant:
    C2M0040120D
    Marque:
    Wolfspeed

    Documentation technique


    Législation et Conformité

    Pays d'origine :
    CN

    Détail produit

    Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed


    Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.

    • Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
    • Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
    • Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
    • Commutation haute vitesse avec faible résistance
    • Fonctionnement à verrouillage résistant


    Transistors MOSFET, Wolfspeed

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum60 A
    Tension Drain Source maximum1200 V
    Type de boîtierA-247
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum52 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2V
    Dissipation de puissance maximum330 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-5 V, +20 V
    Charge de Grille type @ Vgs115 nC @ 20 V, 115 nC @ 5 V
    Largeur5.21mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Longueur16.13mm
    Matériau du transistorSiC
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Tension directe de la diode3.3V
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Hauteur21.1mm
    180 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
    Add to Basket
    Unité

    Uniquement disponible en livraison standard

    Ajouté

    Prix pour l'unité (en tube de 30)

    39,588 €

    HT

    47,506 €

    TTC

    UnitéPrix par unitéle tube*
    30 +39,588 €1 187,64 €
    *Prix donné à titre indicatif