Diode TVS onsemi 2, dissip. 0.25 W Bi-directionnel 3.3 V, 2 broches DFN
- Code commande RS:
- 162-8874
- Référence fabricant:
- ESD7481MUT5G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*
930,00 €
HT
1 120,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 03 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,093 € | 930,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 162-8874
- Référence fabricant:
- ESD7481MUT5G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Type de direction | Bi-directionnel | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 6V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 3.3V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 0.25W | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Courant de test It | 1mA | |
| Tension de pincement VC | 12V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 3A | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Hauteur | 0.28mm | |
| Longueur | 0.62mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 0.32mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Courant de fuite inverse maximum | 50nA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Type de direction Bi-directionnel | ||
Configuration de diode Simple | ||
Tension de claquage minimum Vbr 6V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier DFN | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 3.3V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 0.25W | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Courant de test It 1mA | ||
Tension de pincement VC 12V | ||
Protection ESD Oui | ||
Courant d'impulsion crête maximum 3A | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Hauteur 0.28mm | ||
Longueur 0.62mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 0.32mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Courant de fuite inverse maximum 50nA | ||
- Pays d'origine :
- MY
Diodes de suppression de tension transitoire pour la protection PSDE, série ESD
Conçues pour protéger les composants sensibles aux PSDE (décharges électrostatiques). Une excellente capacité de serrage, de faibles fuites et un temps de réponse rapide constituent une protection de premier ordre pour les conceptions exposées aux décharges électrostatiques.
Suppresseurs de tension transitoire, ON Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Diode TVS onsemi 2 2 broches DFN
- Diode TVS DiodesZetex 1 2 broches X3-DFN
- Diode TVS DiodesZetex 1 2 broches X1-DFN
- Diode TVS Bourns 1 Bi-directionnel, 2 broches DFN
- Diode TVS DiodesZetex 2 2 broches DFN
- Diode TVS DiodesZetex 2 2 broches DFN
- Diode TVS DiodesZetex 1 2 broches X1-DFN
- Diode TVS Bourns 1 Bi-directionnel 43 V, 2 broches DFN