Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 1.1 KW Uni-Directionnel 6.3 V, 2 broches QFN

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Code commande RS:
163-7317
Référence fabricant:
ESDA8P80-1U1M
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

Diode TVS

Type de direction

Uni-Directionnel

Configuration de diode

Réseau

Tension de claquage minimum Vbr

6.9V

Type de montage

En surface

Type de Boitier

QFN

Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm

6.3V

Nombre de broches

2

Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm

1.1KW

Courant de test It

1mA

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension de pincement VC

13.2V

Courant d'impulsion crête maximum

80A

Protection ESD

Oui

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.1mm

Hauteur

0.55mm

Longueur

1.7mm

Standard automobile

Non

Courant de fuite inverse maximum

200nA

Les circuits de protection contre les surtensions de ligne de puissance de ST prennent en charge les applications telles que les boîtiers satellite (LNB), les convertisseurs c.c.-c.c. haute puissance et les rails de puissance dans les télécommunications. La série ITA est optimisée pour les applications industrielles, les SLVU et PEP01 pour l'Ethernet ou PoE, et la série STIEC45 est destinée aux rails de puissance c.c.

Capacité de surintensité jusqu'à 500 A

Proposée dans de nombreuses offres, y compris les dispositifs haute puissance multilignes

Dispositifs optimisés pour prendre en charge des applications spécifiques

L'ESDA8P80-1U1M est une diode TVS à ligne simple unidirectionnelle conçue pour protéger la ligne de puissance contre les tensions transitoires ESD et EOS. Le dispositif est idéal pour les applications dans lesquelles un TVS haute puissance et des économies d'espace sur la carte sont nécessaires

Faible tension de blocage

Puissance d'impulsion de crête typique :

1 100 W (8 / 20 μs)

Tension de veille 6,3 V

Diode unidirectionnelle

Faible courant de fuite :

0,2 μA à 25 °C

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