Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 1.1 KW Uni-Directionnel 6.3 V, 2 broches QFN

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Code commande RS:
163-9781
Référence fabricant:
ESDA8P80-1U1M
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

Diode TVS

Configuration de diode

Réseau

Type de direction

Uni-Directionnel

Tension de claquage minimum Vbr

6.9V

Type de montage

Surface

Type de Boitier

QFN

Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm

6.3V

Nombre de broches

2

Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm

1.1KW

Courant de test It

1mA

Tension de pincement VC

13.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant d'impulsion crête maximum

80A

Protection ESD

Oui

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.55mm

Largeur

1.1mm

Normes/homologations

No

Longueur

1.7mm

Courant de fuite inverse maximum

200nA

Standard automobile

Non

Les circuits de protection contre les surtensions de ligne de puissance de ST prennent en charge les applications telles que les boîtiers satellite (LNB), les convertisseurs c.c.-c.c. haute puissance et les rails de puissance dans les télécommunications. La série ITA est optimisée pour les applications industrielles, les SLVU et PEP01 pour l'Ethernet ou PoE, et la série STIEC45 est destinée aux rails de puissance c.c.

Capacité de surintensité jusqu'à 500 A

Proposée dans de nombreuses offres, y compris les dispositifs haute puissance multilignes

Dispositifs optimisés pour prendre en charge des applications spécifiques

L'ESDA8P80-1U1M est une diode TVS à ligne simple unidirectionnelle conçue pour protéger la ligne de puissance contre les tensions transitoires ESD et EOS. Le dispositif est idéal pour les applications dans lesquelles un TVS haute puissance et des économies d'espace sur la carte sont nécessaires

Faible tension de blocage

Puissance d'impulsion de crête typique :

1 100 W (8 / 20 μs)

Tension de veille 6,3 V

Diode unidirectionnelle

Faible courant de fuite :

0,2 μA à 25 °C

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