Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 1.2 KW Uni-Directionnel 15 V, 2 broches QFN
- Code commande RS:
- 163-9763
- Référence fabricant:
- ESDA17P50-1U1M
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 50 unités)*
13,90 €
HT
16,70 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 3 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,278 € | 13,90 € |
| 500 - 1200 | 0,24 € | 12,00 € |
| 1250 + | 0,193 € | 9,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-9763
- Référence fabricant:
- ESDA17P50-1U1M
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Réseau | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 15.6V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | QFN | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 15V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1.2KW | |
| Tension de pincement VC | 26.5V | |
| Courant de test It | 1mA | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 46A | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | ESDA17P50 | |
| Largeur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 1.6mm | |
| Hauteur | 0.55mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 50nA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Réseau | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 15.6V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier QFN | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 15V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1.2KW | ||
Tension de pincement VC 26.5V | ||
Courant de test It 1mA | ||
Courant d'impulsion crête maximum 46A | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série ESDA17P50 | ||
Largeur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 1.6mm | ||
Hauteur 0.55mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 50nA | ||
Standard automobile Non | ||
Les circuits de protection contre les surtensions de ligne de puissance de ST prennent en charge les applications telles que les boîtiers satellite (LNB), les convertisseurs c.c.-c.c. haute puissance et les rails de puissance dans les télécommunications. La série ITA est optimisée pour les applications industrielles, les SLVU et PEP01 pour l'Ethernet ou PoE, et la série STIEC45 est destinée aux rails de puissance c.c.
Capacité de surintensité jusqu'à 500 A
Proposée dans de nombreuses offres, y compris les dispositifs haute puissance multilignes
Dispositifs optimisés pour prendre en charge des applications spécifiques
L'ESDA17P50-1U1M est une diode TVS à ligne simple unidirectionnelle conçue pour protéger la ligne de puissance contre les tensions transitoires ESD et EOS. Le dispositif est idéal pour les applications dans lesquelles un TVS haute puissance et des économies d'espace sur la carte sont nécessaires
Faible tension de blocage
Puissance d'impulsion de crête typique : 1 200 W (8 / 20 μs)
Tension de veille 15 V
Diode unidirectionnelle
Faible courant de fuite de 50 nA à 25 °C
Conforme à CEI 61000-4-2 niveau 4
±30 kV (décharge d'air)
±30 kV (décharge de contact)
Nos clients ont également consulté
- Diode TVS STMicroelectronics 1 2 broches QFN
- Diode TVS STMicroelectronics 1 2 broches QFN
- Diode TVS STMicroelectronics 1 2 broches QFN
- Diode TVS STMicroelectronics 1 2 broches QFN
- Diode TVS STMicroelectronics 1 2 broches
- Diode TVS STMicroelectronics 1 Uni-Directionnel, 12 broches QFN
- Diode TVS STMicroelectronics 1 Uni-Directionnel 33 V, 2 broches SMA plat
- Diode TVS STMicroelectronics 1 Uni-Directionnel 28.2 V, 2 broches DO-214AA (SMB)