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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Configuration de diode	Réseau
	Type de direction	Uni-Directionnel
	Type de produit	Diode TVS
	Tension de claquage minimum Vbr	13.6V
	Type de montage	Surface
	Type de Boitier	QFN
	Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm	13.2V
	Nombre de broches	2
	Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm	1200W
	Courant d'impulsion crête maximum	57A
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension de pincement VC	22.7V
	Protection ESD	Oui
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Hauteur	0.55mm
	Longueur	1.6mm
	Largeur	1mm
	Courant de fuite inverse maximum	50nA

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	Marque STMicroelectronics
	Configuration de diode Réseau
	Type de direction Uni-Directionnel
	Type de produit Diode TVS
	Tension de claquage minimum Vbr 13.6V
	Type de montage Surface
	Type de Boitier QFN
	Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 13.2V
	Nombre de broches 2
	Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1200W
	Courant d'impulsion crête maximum 57A
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension de pincement VC 22.7V
	Protection ESD Oui
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Hauteur 0.55mm
	Longueur 1.6mm
	Largeur 1mm
	Courant de fuite inverse maximum 50nA

Les dispositifs de protection contre les surtensions de ligne d'alimentation de ST prennent en charge les applications telles que les boîtiers satellites (LNB), les convertisseurs c. c.- c. c. haute puissance et les rails d'alimentation de télécommunications. La série ITA est optimisée pour les applications industrielles, le SLVU et le PEP01 pour Ethernet ou PoE, la série STIEC45 pour les rails d'alimentation c. c.

Capacité de courant de surtension jusqu'à 500 A

Large offre de boîtiers, y compris les boîtiers de dispositifs haute puissance multi-lignes

Dispositifs optimisés pour prendre en charge des applications spécifiques

L'ESDA15P60-1U1M est une diode TVS unidirectionnelle à ligne unique conçue pour protéger la ligne d'alimentation contre les transitoires EOS et ESD. Ce dispositif est idéal pour les applications nécessitant un TVS haute puissance et un gain d'espace sur la carte

Faible tension de serrage

Puissance d'impulsion de crête typique : 1 200 W (8/20 μs)

Tension d'arrêt 13,2 V

Diode unidirectionnelle

Faible courant de fuite : 50 nA à 25 °C

±30 kV (décharge d'air)

±30 kV (décharge par contact)

Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 1200 W Uni-Directionnel 13.2 V, 2 broches QFN

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