Diode TVS DiodesZetex 4, dissip. 350 mW Uni-Directionnel 3.3 V, 10 broches UDFN
- Code commande RS:
- 182-6844
- Référence fabricant:
- D3V3F4U10LP-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 182-6844
- Référence fabricant:
- D3V3F4U10LP-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Configuration de diode | Réseau | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 5.5V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | UDFN | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 3.3V | |
| Nombre de broches | 10 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 350mW | |
| Tension de pincement VC | 5V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 5A | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 4 | |
| Hauteur | 0.55mm | |
| Série | DxV0 | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.57mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant de fuite inverse maximum | 1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Configuration de diode Réseau | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 5.5V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier UDFN | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 3.3V | ||
Nombre de broches 10 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 350mW | ||
Tension de pincement VC 5V | ||
Protection ESD Oui | ||
Courant d'impulsion crête maximum 5A | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 4 | ||
Hauteur 0.55mm | ||
Série DxV0 | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.57mm | ||
Standard automobile Non | ||
Courant de fuite inverse maximum 1μA | ||
- Pays d'origine :
- CN
Cette diode TVS de nouvelle génération est conçue pour protéger les composants électroniques sensibles contre les dommages liés aux décharges électrostatiques. Lassociation dune petite taille et dune haute capacité de surtension ESD la rend idéale pour une utilisation dans les applications portables telles que les téléphones portables, les appareils photo numériques et les lecteurs MP3.
Excellente capacité de serrage
Faible capacité de 0,5 pF (typ.)
Excellente protection ESD
Courant de crête d'impulsion Ipp jusqu'à 5 A
Finition sans plomb
Applications
Téléphone mobile
Ordinateurs
Périphérique
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