Diode TVS onsemi 2, dissip. 300 W Uni-Directionnel 5 V, 3 broches SOT-23
- Code commande RS:
- 184-1447
- Référence fabricant:
- SM05T1G
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 184-1447
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- SM05T1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Anode commune | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 6.2V | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 5V | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 300W | |
| Tension de pincement VC | 9.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Courant de test It | 1mA | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 17A | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.01mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 10μA | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Anode commune | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 6.2V | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 5V | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 300W | ||
Tension de pincement VC 9.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Courant de test It 1mA | ||
Courant d'impulsion crête maximum 17A | ||
Protection ESD Oui | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.01mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 10μA | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ces doubles diodes au silicium monolithiques sont conçues pour les applications nécessitant une capacité de protection. Ils sont conçus pour une utilisation dans les équipements sensibles à la tension et aux décharges électrostatiques tels que les ordinateurs, les imprimantes, les machines commerciales, les systèmes de communication, l'équipement médical et d'autres applications. Leur conception d'anode commune à double jonction protège deux lignes séparées à l'aide d'un seul boîtier. Ces dispositifs sont parfaits pour les situations où l'espace sur la carte est un facteur important.
Le boîtier SOT-23 permet deux configurations unidirectionnelles distinctes ou une configuration unidirectionnelle simple
Tension inverse de Peak de travail 5 V.
Plage de tension de coupure Zener standard de 6,2 à 7,3 V.
Puissance Peak - 300 W (8 x 20 μs)
Fuite faible
Caractéristiques mécaniques :
Boîtier : boîtier en plastique thermodurcissable, moulé par transfert et sans vide
Finition : finition résistante à la corrosion, facilement soudable
Température DE CASE MAXIMALE POUR LES FINS DE SOUDAGE : 260 °C pendant 10 secondes
Boîtier conçu pour un assemblage de carte automatisé optimal
Petite taille de boîtier pour les applications haute densité. Disponible en ruban et bobine de 8 mm.