Diode de protection ESD onsemi 2, dissip. 40 W Uni-Directionnel 13 V, 3 broches SOT-23
- Code commande RS:
- 186-9108
- Référence fabricant:
- MMBZ16VALT1G
- Marque:
- onsemi
- Code commande RS:
- 186-9108
- Référence fabricant:
- MMBZ16VALT1G
- Marque:
- onsemi
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Type de produit | Diode de protection ESD | |
| Configuration de diode | Anode commune | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 15.2V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 13V | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 40W | |
| Tension de pincement VC | 23V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant de test It | 1mA | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 1.7A | |
| Protection ESD | Oui | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.01mm | |
| Série | MMBZ A | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Courant de fuite inverse maximum | 50nA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Type de produit Diode de protection ESD | ||
Configuration de diode Anode commune | ||
Tension de claquage minimum Vbr 15.2V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 13V | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 40W | ||
Tension de pincement VC 23V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant de test It 1mA | ||
Courant d'impulsion crête maximum 1.7A | ||
Protection ESD Oui | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.01mm | ||
Série MMBZ A | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Courant de fuite inverse maximum 50nA | ||
- Pays d'origine :
- CN
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