Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 400 W Uni-Directionnel 33 V, 2 broches SMA plat
- Code commande RS:
- 192-4343
- Référence fabricant:
- SMA4F33A
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-4343
- Référence fabricant:
- SMA4F33A
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 36.7V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SMA plat | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 33V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 400W | |
| Tension de pincement VC | 69.7V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 33A | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Longueur | 4.6mm | |
| Largeur | 2.9mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 36.7V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SMA plat | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 33V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 400W | ||
Tension de pincement VC 69.7V | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant d'impulsion crête maximum 33A | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Longueur 4.6mm | ||
Largeur 2.9mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 1μA | ||
- Pays d'origine :
- MA
La série SMA4F Transil est conçue pour protéger les circuits sensibles contre les surtensions transitoires. La technologie Planar le rend compatible avec les circuits haut de gamme où un faible courant de fuite et une température de jonction élevée sont nécessaires pour fournir fiabilité et stabilité à long terme.
Puissance d'impulsion de crête : 400 W (10/1 000 μs) et 2,5 kW (8/20 μs)
Boîtier plat et mince : 1 mm
Plage de tension d'arrêt de 5 à 188 V
Type unidirectionnel
Faible courant de fuite : 0,2 μA à 25 °C et 1 μA à 85 °C
Tj de fonctionnement max. : 175 °C
Capacité de puissance élevée à Tj max. : jusqu'à 200 W (10/1 000 μs)
Finition du plomb : placage étamé mat
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