Diode TVS Taiwan Semiconductor 3, dissip. 4.6 KW Uni-Directionnel 15 V, 2 broches Do-218
- Code commande RS:
- 216-9563
- Référence fabricant:
- TLD6S15AH
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Sous-total (1 bobine de 750 unités)*
924,75 €
HT
1 110,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 750 + | 1,233 € | 924,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 216-9563
- Référence fabricant:
- TLD6S15AH
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 16.7V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | Do-218 | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 15V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 4.6KW | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 189A | |
| Courant de test It | 5mA | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de pincement VC | 24.4V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 3 | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 16mm | |
| Normes/homologations | FBI | |
| Largeur | 10.5mm | |
| Hauteur | 5.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Courant de fuite inverse maximum | 150μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Simple | ||
Tension de claquage minimum Vbr 16.7V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier Do-218 | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 15V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 4.6KW | ||
Courant d'impulsion crête maximum 189A | ||
Courant de test It 5mA | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de pincement VC 24.4V | ||
Nombre d'éléments par circuit 3 | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 16mm | ||
Normes/homologations FBI | ||
Largeur 10.5mm | ||
Hauteur 5.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Courant de fuite inverse maximum 150μA | ||
Les diodes suppresseurs de tension transitoire Taiwan Semiconductor, plus communément appelées diodes TVS, sont utilisées pour protéger les circuits intégrés (CI). Les diodes TVS protègent les semi-conducteurs et les composants sensibles contre les pics de tension transitoire élevés (surtension). Les diodes TVS sont proposées dans les boîtiers à montage traversant et en surface. Elles peuvent être unidirectionnelles ou bidirectionnelles. Les diodes TVS unidirectionnelles permettent uniquement une tension positive ou négative, tandis que les diodes bidirectionnelles peuvent fonctionner à des tensions positives et négatives.
Certifié AEC-Q101 Technologie de conception optimisée par passivation de jonction Capacité TJ = 175 °C adaptée pour une fiabilité élevée et des besoins automobiles Niveau de sensibilité à l'humidité 1, conformément à J-STD-044
Nos clients ont également consulté
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 3 2 broches Do-218