Diode TVS Taiwan Semiconductor 3, dissip. 6.6 KW Uni-Directionnel 33 V, 2 broches Do-218

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216-9627
Référence fabricant:
TLD8S33AH
Marque:
Taiwan Semiconductor
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Marque

Taiwan Semiconductor

Type de produit

Diode TVS

Nombre d'éléments par circuit

3

Dissipation de puissance crête d'impulsion (Pppm)

6.6 KW

Type de direction

Uni-Directionnel

Tension inverse maximum à l'état bloqué (Vwm)

33 V

Nombre de broches

2

Type de Boitier

Do-218

Standard automobile

AEC-Q101

Tension de pincement (VC)

53.3 V

Configuration de diode

Simple

Hauteur

5.5 mm

Longueur

16 mm

Température d'utilisation maximum

175 °C

Courant d'impulsion crête maximum

124 A

Courant de fuite inverse maximum

150 μA

Tension de claquage minimum (Vbr)

36.7 V

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

En surface

Normes/homologations

FBI

Courant de test (It)

5 mA

Largeur

10.5 mm

The Taiwan semiconductor transient voltage suppressor diodes, more commonly known as TVS diodes, are used to protect integrated circuits (ICs). TVS diodes protect semiconductors and sensitive components against high transient voltage spikes (overvoltage).TVS diodes are offered in both through hole and surface mount packages. They can be unidirectional or bidirectional. Unidirectional TVS diodes will only allow positive or negative voltage whereas bidirectional diodes can operate at both positive and negative voltages.

AEC-Q101 qualified Junction passivation optimized design technology TJ =175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement Moisture sensitivity level 1, per J-STD-073

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