Références fabricant

Matrice à diodes TVS STMicroelectronics Bi-directionnel, 6 broches SOT-666

Code commande RS:: 239-6254
Référence fabricant:: ESDA25-4BP6
Marque:: STMicroelectronics

Matrice à diodes TVS STMicroelectronics Bi-directionnel, 6 broches SOT-666

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

411,00 €

492,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,137 €	411,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 239-6254
Référence fabricant:: ESDA25-4BP6
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de direction	Bi-directionnel
	Type de produit	Matrice à diodes TVS
	Tension de claquage minimum Vbr	25V
	Type de montage	Surface
	Type de Boitier	SOT-666
	Nombre de broches	6
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Protection ESD	Oui
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	1.7mm
	Hauteur	1.7mm
	Largeur	0.62mm
	Normes/homologations	IEC, RoHS
	Série	ESDA25-4BP6
	Standard automobile	AEC-Q101
	Courant de fuite inverse maximum	500nA

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de direction Bi-directionnel
	Type de produit Matrice à diodes TVS
	Tension de claquage minimum Vbr 25V
	Type de montage Surface
	Type de Boitier SOT-666
	Nombre de broches 6
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Protection ESD Oui
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 1.7mm
	Hauteur 1.7mm
	Largeur 0.62mm
	Normes/homologations IEC, RoHS
	Série ESDA25-4BP6
	Standard automobile AEC-Q101
	Courant de fuite inverse maximum 500nA

Datasheet - ESDA25-4BP6

Le réseau monolithique STMicroelectronics est conçu pour protéger jusqu'à 5 lignes contre les transitoires ESD. Ce dispositif est idéal lorsque l'espace sur la carte et la capacité de ligne réduite sont nécessaires.

Haut niveau de protection antistatique

Intégration élevée

Adapté pour les cartes haute densité

Faible courant de fuite < 1 μA

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