Diode TVS ROHM, dissip. 200 W Uni-Directionnel PMDE
- Code commande RS:
- 246-3993
- Référence fabricant:
- VS11VUA1VWMTFTR
- Marque:
- ROHM
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
405,00 €
HT
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TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,135 € | 405,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-3993
- Référence fabricant:
- VS11VUA1VWMTFTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 12V | |
| Type de montage | Surface, Traversant | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 200W | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de pincement VC | 18.2V | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 11A | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | VS | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | IEC61000-4-2, RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Courant de fuite inverse maximum | 0.1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 12V | ||
Type de montage Surface, Traversant | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 200W | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de pincement VC 18.2V | ||
Courant d'impulsion crête maximum 11A | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série VS | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 2.3mm | ||
Normes/homologations IEC61000-4-2, RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Courant de fuite inverse maximum 0.1μA | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule
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