Diode TVS ROHM, dissip. 1 W Uni-Directionnel 48 V PMDE
- Code commande RS:
- 246-4061
- Référence fabricant:
- VS48VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-4061
- Référence fabricant:
- VS48VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 53V | |
| Type de montage | Traversant, Surface | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 48V | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1W | |
| Protection ESD | Oui | |
| Tension de pincement VC | 77.4V | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 2.5A | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Série | VS | |
| Normes/homologations | IEC 61000-4-2, RoHS | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 0.1μA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 53V | ||
Type de montage Traversant, Surface | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 48V | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1W | ||
Protection ESD Oui | ||
Tension de pincement VC 77.4V | ||
Courant d'impulsion crête maximum 2.5A | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Série VS | ||
Normes/homologations IEC 61000-4-2, RoHS | ||
Largeur 1.4mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 0.1μA | ||
Standard automobile Non | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule
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