Diode TVS ROHM, dissip. 1 W Uni-Directionnel 70 V PMDE
- Code commande RS:
- 246-4089
- Référence fabricant:
- VS70VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-4089
- Référence fabricant:
- VS70VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 77V | |
| Type de montage | Traversant, En surface | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 70V | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1W | |
| Tension de pincement VC | 113V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 1.7A | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | RoHS, IEC 61000-4-2 | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Série | VS | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant de fuite inverse maximum | 100nA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 77V | ||
Type de montage Traversant, En surface | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 70V | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1W | ||
Tension de pincement VC 113V | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Courant d'impulsion crête maximum 1.7A | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations RoHS, IEC 61000-4-2 | ||
Largeur 1.4mm | ||
Série VS | ||
Standard automobile Non | ||
Courant de fuite inverse maximum 100nA | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule
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