Matrice à diodes TVS DiodesZetex 4, dissip. 350 W, 10 broches UDFN-2510-10
- Code commande RS:
- 246-7467
- Référence fabricant:
- D3V3XA4B10LP-7
- Marque:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,184 € | 4,60 € |
| 50 - 75 | 0,18 € | 4,50 € |
| 100 - 225 | 0,114 € | 2,85 € |
| 250 - 975 | 0,112 € | 2,80 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-7467
- Référence fabricant:
- D3V3XA4B10LP-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | Matrice à diodes TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 6V | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | UDFN-2510-10 | |
| Nombre de broches | 10 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 350W | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 4A | |
| Tension de pincement VC | 9.4V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 4 | |
| Hauteur | 2.5mm | |
| Normes/homologations | EC 61000-4-2, ISO, RoHS, UL | |
| Largeur | 1mm | |
| Longueur | 0.58mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 1μA | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit Matrice à diodes TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 6V | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier UDFN-2510-10 | ||
Nombre de broches 10 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 350W | ||
Courant d'impulsion crête maximum 4A | ||
Tension de pincement VC 9.4V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Protection ESD Oui | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 4 | ||
Hauteur 2.5mm | ||
Normes/homologations EC 61000-4-2, ISO, RoHS, UL | ||
Largeur 1mm | ||
Longueur 0.58mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 1μA | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un dispositif de réseau de diodes TVS haute performance à 4 canaux et faible capacitance, adapté à la protection de quatre E/S à haute vitesse. Ce dispositif est assemblé dans des boîtiers UDFN2510-10 et U-DFN2510-10 (type CJ) et présente une capacité élevée de surtension ESD, une faible tension de blocage ESD et une très faible capacitance. Le boîtier du dispositif est entièrement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. La température de fonctionnement de ce dispositif est de -55 °C à 150 °C.
Le dispositif a une tension de blocage de 9,4 V à 16 A TLP. Le dispositif offre 4 canaux de protection ESD. Il a une très faible capacitance d'entrée de canal de 0,35 pF maximum. Il a une résistance dynamique TLP de 0,39 Ω.
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