Diode TVS Taiwan Semiconductor 1, dissip. 1.5 KW Bi-directionnel 100 V, 2 broches DO-214
- Code commande RS:
- 802-2392
- Référence fabricant:
- SMCJ100CA
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 20 unités)*
3,68 €
HT
4,42 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,184 € | 3,68 € |
| 100 - 180 | 0,178 € | 3,56 € |
| 200 - 480 | 0,174 € | 3,48 € |
| 500 - 980 | 0,169 € | 3,38 € |
| 1000 + | 0,165 € | 3,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 802-2392
- Référence fabricant:
- SMCJ100CA
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de direction | Bi-directionnel | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 111V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | DO-214 | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 100V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1.5KW | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 9.3A | |
| Courant de test It | 1mA | |
| Tension de pincement VC | 162V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Normes/homologations | FBI | |
| Hauteur | 2.75mm | |
| Longueur | 7.15mm | |
| Série | FBI | |
| Largeur | 6.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant de fuite inverse maximum | 5μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de direction Bi-directionnel | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 111V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier DO-214 | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 100V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1.5KW | ||
Courant d'impulsion crête maximum 9.3A | ||
Courant de test It 1mA | ||
Tension de pincement VC 162V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Normes/homologations FBI | ||
Hauteur 2.75mm | ||
Longueur 7.15mm | ||
Série FBI | ||
Largeur 6.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
Courant de fuite inverse maximum 5μA | ||
Suppresseurs de tension transitoire bidirectionnels CMS 1 500 W, série SMCJ, Fairchild Semiconductor
Jonction passivée au verre
Intensité de puissance avec impulsions de crête 1 500 W
Excellente capacité de serrage
Résistance incrémentielle faible aux surtensions
Temps de réponse rapide
Certificat UL #E258596
Classe d'inflammabilité UL94V-0
Nos clients ont également consulté
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214
- Diode TVS Taiwan Semiconductor 1 2 broches DO-214