Diode Zener onsemi, 5.6V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35
- Code commande RS:
- 184-4771
- Référence fabricant:
- 1N5232BTR
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (par multiple de 250)
0,043 €
HT
0,052 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 250 - 750 | 0,043 € | 10,75 € |
| 1000 - 4750 | 0,03 € | 7,50 € |
| 5000 + | 0,023 € | 5,75 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 184-4771
- Référence fabricant:
- 1N5232BTR
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Données générales applicables à toutes les séries de ce groupe.
500 milliwatt
Hermétiques
Diodes Zener en silicone de verre
Plage de tension complète - 1,8 à 200 V.
Forfait DO-204AH - Plus petit que le forfait classique DO-204AA
Construction de type à limace double
Construction métallisée
Caractéristiques mécaniques:
Boîtier: Type à limace double, verre hermétiquement scellé
Température MAXIMALE D'ÉTANCHÉITÉ POUR LES FINS DE RÉDUCTION: 230°C, 1/16", à partir du boîtier pendant 10 secondes
Finition: Toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion avec des fils facilement soudables
Polarité : cathode indiquée par la bande de couleur. En mode Zener, la cathode est positive par rapport à l'anode
Position DE MONTAGE: Tout
Wafer FAB EMPLACEMENT: Phoenix, Arizona
Lieu D'ASSEMBLAGE/D'ESSAI: Séoul, Corée
500 milliwatt
Hermétiques
Diodes Zener en silicone de verre
Plage de tension complète - 1,8 à 200 V.
Forfait DO-204AH - Plus petit que le forfait classique DO-204AA
Construction de type à limace double
Construction métallisée
Caractéristiques mécaniques:
Boîtier: Type à limace double, verre hermétiquement scellé
Température MAXIMALE D'ÉTANCHÉITÉ POUR LES FINS DE RÉDUCTION: 230°C, 1/16", à partir du boîtier pendant 10 secondes
Finition: Toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion avec des fils facilement soudables
Polarité : cathode indiquée par la bande de couleur. En mode Zener, la cathode est positive par rapport à l'anode
Position DE MONTAGE: Tout
Wafer FAB EMPLACEMENT: Phoenix, Arizona
Lieu D'ASSEMBLAGE/D'ESSAI: Séoul, Corée
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Configuration de diode | Simple |
| Tension zener nominal | 5.6V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Type de montage | Traversant |
| Dissipation de puissance maximum | 500 mW |
| Type de boîtier | DO-35 |
| Type de zener | Usage général |
| Tolérance de la tension zener | 5% |
| Nombre de broches | 2 |
| Courant de test | 20mA |
| Impédance zener maximum | 11 Ω @ 20 mA, 1600 Ω @ 0.25 mA |
| Courant de fuite inverse maximum | 5µA |
| Dimensions | 1.91 (Dia.) x 4.56mm |
| Coefficient de Tension température typique | 0.03%/°C |
| Courant direct | 200mA |
| Température d'utilisation maximum | +200 °C |
| Tension directe | 1.2V |
| Température de fonctionnement minimum | -65 °C |