Diode Zener, 20 V 1 ROHM, En surface, Isolé, dissip. ≤ 1 W 12 % SOD-123FL 2 broches
- Code commande RS:
- 215-9760P
- Référence fabricant:
- KDZVTFTR20B
- Marque:
- ROHM
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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- Code commande RS:
- 215-9760P
- Référence fabricant:
- KDZVTFTR20B
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | Diode Zener | |
| Configuration de diode | Isolé | |
| Tension zener nominale Vz | 20V | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Type de Boitier | SOD-123FL | |
| Type de zener | Régulateur de tension | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant de test It | 20mA | |
| Impédance zener maximum | 15Ω | |
| Tolérance de la tension zener ± | 12% | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Courant de fuite inverse maximum | 200μA | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | KDZVTF | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Hauteur | 900μm | |
| Longueur | 2.7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit Diode Zener | ||
Configuration de diode Isolé | ||
Tension zener nominale Vz 20V | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Type de Boitier SOD-123FL | ||
Type de zener Régulateur de tension | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant de test It 20mA | ||
Impédance zener maximum 15Ω | ||
Tolérance de la tension zener ± 12% | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Courant de fuite inverse maximum 200μA | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série KDZVTF | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Hauteur 900μm | ||
Longueur 2.7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La diode Rohm Zener est dotée d'une puissance dissipée maximale de 1 W. Il est doté d'un petit type de moule et d'une structure planaire épitaxiale au silicium. Il est principalement utilisé dans les applications de régulation de tension.
Haute fiabilité.