EEPROM, I2C, 2 Mo STMicroelectronics, 900 ns Surface, 8 broches SO-8N

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Code commande RS:
527-115
Référence fabricant:
M24M02E-UFMN6TP
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

EEPROM

Taille de la mémoire

2Mo

Type d'interface

I2C

Type de Boitier

SO-8N

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Série

M24C64-U

Normes/homologations

RoHS, ECOPACK2

Standard automobile

Non

Nombre de mots

8192 Words

Courant d'alimentation

0.8mA

Temps d'accès aléatoire maximum

900ns

Rétention des données

200année

Pays d'origine :
CN
L'EEPROM (mémoire programmable effaçable électriquement) de 2 Mbits compatible I²C de STMicroelectronics est organisée en 256 K x 8 bits. Il peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,6 V à 5,5 V et une fréquence d'horloge allant jusqu'à 1 MHz, dans une plage de température ambiante allant de -40 °C à +85 °C. Le dispositif offre trois registres de 8 bits, à savoir : le registre d'identification du type de dispositif (DTI), l'adresse de dispositif configurable (CDA) et le registre de protection contre l'écriture logicielle (SWP). L'appareil offre une page supplémentaire de 256 octets, appelée page d'identification. Cette page peut être utilisée pour stocker des paramètres d'application sensibles, qui peuvent ensuite être verrouillés de manière permanente en mode lecture seule.

Interface I²C

Protection renforcée contre les décharges électrostatiques (ESD) et le verrouillage

Temps de réveil rapide (moins de 5 μs)

Registre d'adresse de l'appareil configurable

Registre d'identification du type d'appareil (en lecture seule)

Adresse de l'appareil préprogrammée

Registre de protection contre l'écriture logicielle

Protection matérielle en écriture de l'ensemble de la matrice de mémoire

Modes de lecture aléatoire et séquentielle

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