EEPROM, I2C, 1 kB STMicroelectronics Montage en surface, 4 broches WLCSP
- Code commande RS:
- 719-620
- Référence fabricant:
- M24C08-GCT6TP/T
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-620
- Référence fabricant:
- M24C08-GCT6TP/T
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Taille de la mémoire | 1ko | |
| Type de produit | EEPROM | |
| Type d'interface | I2C | |
| Type de Boitier | WLCSP | |
| Type de montage | Montage en surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1MHz | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 0.3mm | |
| Longueur | 1mm | |
| Série | M24C08 | |
| Rétention des données | 200année | |
| Courant d'alimentation | 5mA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Taille de la mémoire 1ko | ||
Type de produit EEPROM | ||
Type d'interface I2C | ||
Type de Boitier WLCSP | ||
Type de montage Montage en surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Fréquence d'horloge maximum 1MHz | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Tension d'alimentation maximum 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 0.3mm | ||
Longueur 1mm | ||
Série M24C08 | ||
Rétention des données 200année | ||
Courant d'alimentation 5mA | ||
- Pays d'origine :
- SG
L'EEPROM (mémoire programmable en lecture seule effaçable électriquement) compatible I2C de 8 Kbit de STMicroelectronics est organisée en 1 K x 8 bits. Il peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,8 V ± 5 % sur une plage de températures ambiantes de -40 °C/+85 °C, avec une fréquence d'horloge maximale de 400 kHz. Le produit offre les E/S compatibles avec 1,2 V, et est livré dans un emballage de 4 billes à l'échelle de puce de niveau de plaquette.
Protection renforcée contre les décharges et les décharges 3 kV (HBM)
Plus de 4 millions de cycles d'écriture
Plus de 200 ans de conservation des données
Protection matérielle en écriture de l'ensemble de la matrice de mémoire
Modes de lecture aléatoire et séquentielle
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