Microchip EEPROM parallèle, AT28HC64BF-12SU, 64 kB, Parallèle, 120 ns SOIC, 28 broches, 8

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
177-1673
Référence fabricant:
AT28HC64BF-12SU
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Taille de la mémoire

64kB

Type de produit

EEPROM parallèle

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

28

Fréquence d'horloge maximum

5MHz

Configuration

8K x 8 bit

Tension d'alimentation minimum

4.5V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

17.9mm

Série

AT28HC64BF

Largeur

10.3 mm

Hauteur

2.8mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Nombre de mots

8192

Rétention des données

10year

Temps d'accès aléatoire maximum

120ns

Courant d'alimentation

40mA

Pays d'origine :
TW
Le Microchip AT28HC64BF est une EEPROM accès parallèle de 64 kb à hautes performances, offrant des temps d'accès de 55 ns avec dissipation de puissance de 220 mW. Désélectionné, le courant de veille CMOS est inférieur à 100 μA. Permettant un accès comme une RAM statique pour le cycle de lecture ou d'écriture sans composants externes, il contient un registre de page de 64 octets pour permettre l'écriture de 64 octets simultanément. Le mécanisme de protection de données logicielles en option protège contre les écritures involontaires, et une EEPROM de 64 octets supplémentaire permet l'identification ou le suivi du dispositif.

Caractéristiques supplémentaires :

8 kb x 8 (64 kb)

Alimentation 5 V ±10 %

Interface parallèle

Cycles d'effacement et d'écriture à temporisation automatique et temps d'accès 70 ns

Ecriture de page et d'octet

Interrogation de données pour la détection de fin d'écriture

Option de 2 ms maximum

Faible consommation :

Courant de lecture/écriture 40 mA (max.)

Courant de veille TTL 2 mA (max.), CMOS 100 μA (max.)

Protection en écriture

Protection matérielle

Protection de données de logiciel

Plus de 100 000 cycles d'effacement/écriture

Conservation des données > 10 ans

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