Microchip EEPROM parallèle, AT28HC256-12JU, 256 kB, Parallèle, 120 ns PLCC, 32 broches, 8

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Code commande RS:
177-1707
Référence fabricant:
AT28HC256-12JU
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de produit

EEPROM parallèle

Taille de la mémoire

256kB

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

PLCC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

32

Fréquence d'horloge maximum

5MHz

Configuration

32K x 8 Bit

Tension d'alimentation minimum

4.5V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

12.5mm

Série

AT28HC256

Hauteur

3.5mm

Largeur

15 mm

Normes/homologations

No

Rétention des données

10year

Nombre de mots

32768

Standard automobile

Non

Temps d'accès aléatoire maximum

120ns

Courant d'alimentation

80mA

Pays d'origine :
TW
Le Microchip AT28HC256 est une EEPROM à accès parallèle de 256 kb à hautes performances, disponible pour des plages de températures industrielles et militaires, offrant des temps d'accès de 70 ns avec dissipation de puissance de 440 mW. Désélectionné, le courant de veille CMOS est inférieur à 5 mA. Permettant un accès comme une RAM statique pour le cycle de lecture ou d'écriture sans composants externes, il contient un registre de page de 64 octets pour permettre l'écriture de 64 octets simultanément. Doté d'un circuit interne de correction d'erreur pour une autonomie prolongée et une meilleure conservation des données, dans la version militaire. Le mécanisme de protection de données logicielles en option protège contre les écritures involontaires, et une EEPROM de 64 octets supplémentaire permet l'identification ou le suivi du dispositif.

Caractéristiques supplémentaires :

32 kb x 8 (256 kb)

Alimentation 5 V ±10 %

Interface parallèle

Temps d'accès de 150 ns

Cycles d'effacement et d'écriture à temporisation automatique (10 ms max.)

Ecriture de page et d'octet

Interrogation de données pour la détection de fin d'écriture

Faible consommation :

Courant de lecture/écriture 40 mA (max.)

Courant de veille TTL 2 mA (max.), CMOS 200 μA (max.)

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