Mémoire EEPROM en série, 24LC65/SM, 64Kbit, Série-I2C SOIJ, 8 broches, 8bit
- Code commande RS:
- 177-1778
- Référence fabricant:
- 24LC65/SM
- Marque:
- Microchip
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
2,112 €
HT
2,534 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
5 + | 2,112 € | 10,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 177-1778
- Référence fabricant:
- 24LC65/SM
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
Le Microchip Technology Inc. 24AA65/24LC65/24C65 (24XX65)* est une PROM à effacement électrique série de 8 k x 8.
Plage de tension d'utilisation : 1,8 à 6 V - Courant d'écriture de crête de 3 mA à 6 V - Courant de lecture maximum de 150 μA à 6 V - Courant de veille de 1 μA
Protocole de bus à deux fils standard compatible I2C™
Mode de page 8 octets, ou mode octet disponibles
Durée du cycle d'écriture typique de 2 ms, modes Octet ou Page, cache d'entrée de 64 octets pour les charges d'écriture rapides
Jusqu'à 8 périphériques peuvent être connectés au même bus pour une mémoire totale jusqu'à 512 k
Inclut les compatibilités 100 kHz (1,8 V = V c.c. < 4,5 V) et 400 kHz (4,5 V = V c.c. = 6 V)
Bloc programmable, options de sécurité, options d'endurance programmable, trigger de Schmitt, entrées filtrées pour la suppression du bruit
Contrôle la pente de sortie pour éliminer le rebond de masse
Cycles d'effacement/écriture à temporisation automatique
Circuits de protection des données à la mise sous/hors tension
Endurance : 10 000 000 cycles d'effacement/écriture pour un bloc à grande endurance, 1 000 000 cycles d'effacement/écriture pour un bloc à endurance standard
Protection contre les décharges électrostatiques > 4 000 V
Protocole de bus à deux fils standard compatible I2C™
Mode de page 8 octets, ou mode octet disponibles
Durée du cycle d'écriture typique de 2 ms, modes Octet ou Page, cache d'entrée de 64 octets pour les charges d'écriture rapides
Jusqu'à 8 périphériques peuvent être connectés au même bus pour une mémoire totale jusqu'à 512 k
Inclut les compatibilités 100 kHz (1,8 V = V c.c. < 4,5 V) et 400 kHz (4,5 V = V c.c. = 6 V)
Bloc programmable, options de sécurité, options d'endurance programmable, trigger de Schmitt, entrées filtrées pour la suppression du bruit
Contrôle la pente de sortie pour éliminer le rebond de masse
Cycles d'effacement/écriture à temporisation automatique
Circuits de protection des données à la mise sous/hors tension
Endurance : 10 000 000 cycles d'effacement/écriture pour un bloc à grande endurance, 1 000 000 cycles d'effacement/écriture pour un bloc à endurance standard
Protection contre les décharges électrostatiques > 4 000 V
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 64Kbit |
Type d'interface | Série-I2C |
Type de boîtier | SOIJ |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 8 |
Configuration | 8K x 8 bits |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,5 V |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 6 V |
Tension de programmation | 2.5 → 6V |
Nombre de bits par mot | 8bit |
Dimensions | 5.33 x 5.38 x 1.98mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Conservation des données | 200an |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Temps d'accès aléatoire maximum | 900ns |
Nombre de mots | 8K |
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