EEPROM, série I2C, 8 kB Microchip, 3500 ns Surface, 8 broches SOIC

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180-9710
Référence fabricant:
24AA08T-I/SN
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Taille de la mémoire

8kB

Type de produit

EEPROM

Type d'interface

série I2C

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Configuration

8K x 8 bit

Fréquence d'horloge maximum

400kHz

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Nombre de bits par mot

8

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

No

Série

24AA08

Hauteur

1.75mm

Longueur

4.9mm

Largeur

6 mm

Courant d'alimentation

3mA

Rétention des données

200year

Temps d'accès aléatoire maximum

3500ns

Standard automobile

AEC-Q100

Nombre de mots

256

Pays d'origine :
TH
Les 24AA08/24LC08B de Microchip Technology Inc. sont des EEPROM série compatibles I2C™ de 8 kb. Le circuit est organisé en quatre blocs de mémoire de 256 x 8 bits avec une interface série 2 fils. Sa conception basse tension permet un fonctionnement à 1,7 V, avec des courants de veille et actif de seulement 1 μA et 1 mA, respectivement. La mémoire 24XX08 est également dotée d'une capacité d'écriture de page jusqu'à 16 octets de données. La mémoire 24XX08 se décline en boîtiers PDIP standard à 8 broches, SOIC à montage en surface, TSSOP, DFN 2 x 3, TDFN 2 x 3 et MSOP, ainsi qu'en boîtier SOT-23 5 fils. Tous les boîtiers sont sans plomb

Alimentation simple avec fonctionnement jusqu'à 1,7 V.

Technologie CMOS à faible consommation :

Interface série 2 fils, compatible I2C™

Entrées de déclenchement de Schmitt pour la suppression du bruit

Contrôle la pente de sortie pour éliminer le rebond de masse

Compatibilité d'horloge 100 KHz et 400 kHz

Temps d'écriture de page de 3 ms, typique

Cycle d'effacement/écriture à durée auto-programmée

Mémoire tampon d'écriture de page 16 octets

Protection matérielle en écriture

Protection ESD> 4 000 V

Plus d'1 million de cycles d'effacement/écriture

Conservation des données> 200 ans

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