Mémoire EEPROM en série, 93C56B-I/P, 2Kbit, Série-3 fils DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 16bit
- Code commande RS:
- 197-6073
- Référence fabricant:
- 93C56B-I/P
- Marque:
- Microchip
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,38 €
HT
0,46 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
50 - 50 | 0,38 € | 19,00 € |
100 + | 0,369 € | 18,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 197-6073
- Référence fabricant:
- 93C56B-I/P
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Microchip 93C56B-I/P est une PROM électriquement effaçable série à basse tension de 2 kbits (EEPROM). La technologie CMOS Advanced les rend idéales pour les applications de mémoire non volatile à faible consommation. La série 93C entière est disponible en boîtiers standard, y compris PDIP et SOIC 8 fils, et en boîtier Advanced, y compris MSOP 8 fils, SOT-23 6 fils, 2x3 DFN/TDFN 8 fils et TSSOP 8 fils. Tous les boîtiers sont en finition étain mat sans plomb.
Technologie CMOS à faible consommation
Broche d'ORG pour sélectionner la taille de mot pour la version "56C"
Version "A" d'organisation 256 x 8 bits (pas d'ORG)
Version "B" d'organisation 128 x 16 bits (pas d'ORG)
Cycles d'effacement/écriture à temporisation automatique (y compris l'effacement automatique)
Effacement total (ERAL) automatique avant écriture totale (WRAL)
Circuits de protection des données à la mise sous/hors tension
3 fils d'E/S série standards
Signal d'état du circuit (prêt/occupé)
Fonction de lecture séquentielle
1 000 000 de cycles d'effacement/écriture
Conservation des données 200 ans
Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Plages de température prises en charge : industriel (I) -40 à +85 °C, automobile (E) -40 à +125 °C.
Broche d'ORG pour sélectionner la taille de mot pour la version "56C"
Version "A" d'organisation 256 x 8 bits (pas d'ORG)
Version "B" d'organisation 128 x 16 bits (pas d'ORG)
Cycles d'effacement/écriture à temporisation automatique (y compris l'effacement automatique)
Effacement total (ERAL) automatique avant écriture totale (WRAL)
Circuits de protection des données à la mise sous/hors tension
3 fils d'E/S série standards
Signal d'état du circuit (prêt/occupé)
Fonction de lecture séquentielle
1 000 000 de cycles d'effacement/écriture
Conservation des données 200 ans
Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Plages de température prises en charge : industriel (I) -40 à +85 °C, automobile (E) -40 à +125 °C.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 2Kbit |
Type d'interface | Série-3 fils |
Type de boîtier | DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 8 |
Configuration | 128 x 16 bits |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 4,5 V |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V |
Tension de programmation | 4.5 → 5.5V |
Nombre de bits par mot | 16bit |
Dimensions | 9.27 x 6.35 x 3.3mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Conservation des données | 200an |
Nombre de mots | 128 |
Temps d'accès aléatoire maximum | 250ns |
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