EEPROM, I2C, 512 kB Microchip, 450 ns Surface, 8 broches SOIJ-8

Voir l’ensemble des EEPROM
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

7,55 €

HT

9,06 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 140 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 100,755 €7,55 €
20 - 400,74 €7,40 €
50 +0,725 €7,25 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
236-8814
Référence fabricant:
AT24C512C-SHD-B
Marque:
Microchip
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Microchip

Type de produit

EEPROM

Taille de la mémoire

512kB

Type d'interface

I2C

Type de Boitier

SOIJ-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Configuration

64k x 8 Bit

Fréquence d'horloge maximum

1000kHz

Tension d'alimentation minimum

2.5V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Hauteur

1.88mm

Normes/homologations

RoHS

Série

AT24C5

Standard automobile

Non

Courant d'alimentation

3mA

Rétention des données

100year

Temps d'accès aléatoire maximum

450ns

Nombre de mots

64K

L'EEPROM série Microchip est dotée d'un boîtier SOIJ typique avec un support d'emballage de tube. Il offre une densité de 512 K bits et une plage de tension d'utilisation de 1,7 à 5,5 V. La fréquence d'horloge maximale est de 1 MHz et sa taille de page est de 128 octets.

Déclenchements Schmitt, entrées filtrées pour la suppression du bruit

Protocole de transfert de données bidirectionnel

Broche de protection en écriture pour la protection complète des données matérielles de la matrice

Courant actif ultrafaible 3 mA maximum et courant de veille 6 μA maximum

Écritures de page partielle autorisées

Modes de lecture aléatoire et séquentielle

Cycle d'écriture auto-temporisé dans un délai de 5 ms maximum

Protection ESD > 4 000 V.

Haute fiabilité.

Endurance 1 000 000 cycles d'écriture

Conservation des données 100 ans

Nos clients ont également consulté